真空薄膜在电磁波上的用途

2022/02/09

    1.集成电路

    是指被用于半导体工业上的PVD，砒霜钾等结晶膜上的分子束蒸镀法，电极布线和绝缘膜的形成的溅镀方式。另一方面，CVD主要被利用于以下的几个方面。

    是指作为硅外延层，在1000°C以上的高温CVD上，将硅烷(SiH4)以及硅的卤化物气体

    (SiH2CI2，SiHCI3等)作为气体原料的单结晶硅膜。

    将硅烷在600?800°C中高温分解的多晶硅膜。

    等离子CVD上的无定形硅(a-Si)膜。

    热CVD和等离子CVD上的，作为绝缘膜使用的二氧化硅(SiO2)膜和氮化硅(Si3N4)膜。

    从六氟化钨(WF6)气体和硅烷上，像钨硅化物(WSi2)似的硅化物膜。

    从六氟化钨气体上氢还原，像钨(W)膜似的金属膜。

    2.显示设备

    现在的显示设备上平板显示面板(FPD：Flat Panel Display)是作为主流的。在FPD的制造上薄膜的制造技术是关键的技术。在之前介绍过的透明导电膜以及各种各样的薄膜都被利用到。

    在液晶设备(LCD：Liquid Crystal Display)上，非结晶硅(a-Si：amorphous Silicon)

    薄膜晶体管(TFT：Thin Film Transistor)以及低温多晶硅(LTPS：Low Temperature

    Polycrystalline Silicon)晶体管(TFT)等就是用等离子CVD等做成的。

    在等离子体显示面板的特性上起着重要影响的电极保护膜(MgO)就是用真空镀膜以及溅镀设备成膜的。

    在有机EL显示(OLED：Organic Light Emitting Device)上，低分子系的材料是用真空镀膜成膜的。另外，高分子系的聚合物则是利用了旋涂法或印刷技术。

    在冷阴极显示(FED：Field Emission Display)上，各种各样的冷阴极的研究在进行着，在这其中最有名的算是碳纳米管(CNT：Carbon Nanotube)的冷阴极了。CNT是通过烃类气体和过渡金属(Fe，Co，Ni等)产生催化作用，用CVD方法制造而成的。

    3.超导薄膜

    作为超导体的目标所使用的溅射或激光烧蚀的构成元素是由从多源的蒸发机到单独蒸发的分子束使其沉积蒸发而成的。

    4.磁记录膜

    由于电子枪的原因真空镀膜主要被用于硬盘溅射，真空蒸发沉积磁带上。另外，硬盘上具有良好润滑性能的硬质金刚石碳(DLC：Diamond Like Carbon)的保护膜就是由PVD，

    CVD方法制造而成的。

    5.光盘

    各种的CD光盘和压缩光盘(CD：Compact Disc，Compact Disk)或数字多功能盘

    (DVD：Digital Versatile Disk)上的铝反射膜都是通过溅射形成的。下述的仅供参考，以前被用在激光盘(LD：Laser Disk)上的铝反射膜是用真空镀膜法成膜的。成膜方式不同是由于LD的材料丙烯酸树脂(PMMA)使溅镀方式无法形成附着力良好的膜而造成的。

    6.弹性表面声波膜

    压电材料其中的容易形成薄膜的氧化锌(ZnO)膜是通过溅镀方式形成的。

    7.太阳能电池膜

    非晶硅膜通过以下方式获得分解的等离子CVD的硅烷(SiH4)用氢终止，不参与电子化学键(悬挂键)。因此，形成膜的其他方式(真空镀膜法。溅射法等)中的无定形硅不能形成的

    P型，N型膜形成方法都成为可能。因此，使用非晶硅的薄膜的太阳能电池已投入实际使用中并实现了太阳能电池的低成本化。